Name: Vishay Siliconix SI4618DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4618DY-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4618DY-T1-GE3

Artikelnummer:

SI4618DY-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Datenblätte:

1.SI4618DY-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf SI4618DY-T1-(G)E3.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4618DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4618DY-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max	1.98W, 4.16W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A, 15.2A
Konfiguration	2 N-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer	SI4618
SI4618DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI4618DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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